測(cè)試模塊

01.電壓擊穿（介電場(chǎng)強(qiáng)）

由能量密度可知，擊穿場(chǎng)強(qiáng)相對(duì)于介電常數(shù)對(duì)于材料能量密度的影響更為突出，獲得高能量密度對(duì)復(fù)合材料擊穿場(chǎng)強(qiáng)提出了更高的要求。通過(guò)上位機(jī)系統(tǒng)控制高壓擊穿測(cè)試模塊，便捷、準(zhǔn)確的對(duì)測(cè)試樣品進(jìn)行工頻下的交流、高壓直流擊穿試驗(yàn)，測(cè)試出擊穿場(chǎng)強(qiáng)。甚至可以通過(guò)測(cè)試軟件設(shè)置直流輸出時(shí)間，以完成樣品的極化過(guò)程。

02.高低頻介電頻譜、溫譜

用于分析寬頻、高低溫環(huán)境下儲(chǔ)能新材料的阻抗Z、電抗X、導(dǎo)納Y、電導(dǎo)G、電納B、電感L、介電損耗D、品質(zhì)因數(shù)Q等物理量，同時(shí)還可以分析被測(cè)樣品隨溫度、頻率、時(shí)間、偏壓變化的曲線。

03.高溫絕緣電阻

高精度的電壓輸出與電流測(cè)量，即使在高低溫環(huán)境下可能很好的屏蔽背景電流，保障測(cè)試品質(zhì)，適用與儲(chǔ)能新材料在不同環(huán)境溫度下絕緣性能的檢測(cè)。

04.熱釋電測(cè)試

不論是薄膜還是塊體形式的儲(chǔ)能材料，都可對(duì)其進(jìn)行熱釋電性能測(cè)試。采用電流法進(jìn)行測(cè)量，材料的熱釋電電流、熱釋電系數(shù)、剩余極化強(qiáng)度對(duì)溫度和時(shí)間的曲線。

05.TSDC熱刺激極化電流

熱刺激電流（TSC）是研究熱釋電材料中陷阱結(jié)構(gòu)和陷阱結(jié)構(gòu)所控制的空間電荷存貯及運(yùn)輸特性的工具，同時(shí)也是研究熱點(diǎn)材料結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變和分子運(yùn)動(dòng)的重要手段。諸如：分子弛豫、相轉(zhuǎn)變、玻璃化溫度等等，通過(guò)TSDC技術(shù)也可以直觀的研究材料的弛豫時(shí)間、活化能等相關(guān)介電特性、

06.充放電儲(chǔ)能密度測(cè)試

用于研究介電儲(chǔ)能材料高電壓放電性能，同目前常見(jiàn)的方法是通過(guò)電滯回線計(jì)算高壓下電介質(zhì)能量密度，測(cè)試時(shí)，樣品的電荷釋放至高壓源上，而非釋放至負(fù)載上，也就是說(shuō)，通過(guò)電滯回線測(cè)得的能量密度會(huì)大與樣品實(shí)際釋放的能量密度，不能正確評(píng)估儲(chǔ)能材料的正常放電性能。華測(cè)充放電測(cè)試具有**設(shè)計(jì)的電容放電電路來(lái)測(cè)量，首先將測(cè)試材料充電到給定電壓，之后通過(guò)閉合高速M(fèi)OS高壓開(kāi)關(guān)，將存儲(chǔ)在儲(chǔ)能材料中的能量釋放到電阻器負(fù)載中，更符合電介質(zhì)充放電原理。

07.電聲脈沖法空間電荷測(cè)量

空間電荷是指在材料特定區(qū)域內(nèi)電荷分布不均勻的現(xiàn)象。該現(xiàn)象是由于載流子的擴(kuò)散和漂移運(yùn)動(dòng)所導(dǎo)致的，在材料的局部區(qū)域產(chǎn)生了電荷累積，從而使材料改變了原本的電中性狀態(tài)。空間電荷的存在對(duì)材料的電學(xué)性能有著重要的影響，可能導(dǎo)致電場(chǎng)畸變、絕緣性能下降等問(wèn)題。

電聲脈沖法（PEA）空間電荷測(cè)試可以便捷準(zhǔn)確地測(cè)量固體儲(chǔ)能材料內(nèi)部空間電荷分布,電聲脈沖法可以測(cè)量較厚的介質(zhì)，可以在帶電狀態(tài)下直接測(cè)量絕緣測(cè)試樣品中的空間電荷分布，可測(cè)空間電荷密度為4μC·cm^-3,可測(cè)試樣厚度為0.2mm。

08.靜電電壓

靜電是一種處于靜止?fàn)顟B(tài)的電荷，雖然其總電荷量不大，但其瞬間釋放所產(chǎn)生的高電壓與大電流非常容易對(duì)周邊電路、設(shè)備乃至人員造成損害。對(duì)儲(chǔ)能材料的靜電性能（包括面電荷密度與電阻）進(jìn)行測(cè)試，可以對(duì)后期防靜電工程設(shè)計(jì)和改善儲(chǔ)能系統(tǒng)的抗靜電性能設(shè)計(jì)提供數(shù)據(jù)支持，對(duì)周圍電路的靜電敏感電子元器件選型提供參考依據(jù)。

配置模塊

拓展資料

能量密度常用計(jì)算公式：

式中：Uc為電容器的充電能量密度；Ud為電容器的實(shí)際放電能量密度；E為外加電場(chǎng)；D為電位移；Dr為剩余電位移；ε0為電介質(zhì)的真空介電常數(shù)；εr為電介質(zhì)的相對(duì)介電常數(shù)；Eb為擊穿場(chǎng)強(qiáng)；η為充放電效率。